半导体硅材料的研制

    半导体硅材料是电子工业和微电子工业最重要的基础材料，被广泛用于制造集成电路、分立器件和太阳电池。

    1966年成立了广州半导体材料研究所，开展高纯多晶硅、单晶硅以及半导体材料测试方法、测试仪器的研究工作。1979年以来，先后取得了硅烷法高纯多晶硅、高阻单晶硅以及半导体材料测试设备等6项科研成果，获全国科学大会、国家和省的奖励。

    1967年，该所承担了“硅烷低温精馏制取高纯多晶硅”的研制任务，1984年，在中国有色金属总公司的主持下通过了技术鉴定，肯定了这一技术和工艺属国内首创，重金属杂质含量和磷、硼含量达到国外先进水平。该项科研成果获1984 年科技成果一等奖，并获国家经委颁发的技术开发优秀项目奖状。

    同时，开展了探测器级高阻硅单晶的研究，1984年在有色金属总公司的主持下，通过了技术鉴定，肯定了这一工艺稳定、可靠，技术上达到国内先进水平。该项成果获1984年科技成果一等奖。

    为配合半导体材料的质量检验，该所从1972年开始研制用于电阻率测试的精密器探针头，取得成功，1978年获冶金部科学大会和全国科学大会奖状。1977年研制成功DCY-1型电阻率自动测试仪并通过了技术鉴定，获1979年广东省科技成果奖。1979年研制成功DSY——1型双光源单晶少数载流子寿命测试仪并通过了技术鉴定，该产品属国内首创，获1982年广东省科技成果奖和国家经委1983年优秀新产品证书。该所还研制成功STZ 型三探针硅外延片电阻率测试仪，获1984年广东省科技成果奖。

(刘章发)